| 热(rè)門(mén)搜索: 压敏電(diàn)阻 热(rè)敏電(diàn)阻 温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器 |
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,更(gèng)專業
压敏電(diàn)压
压敏電(diàn)压是(shì)指在(zài)電(diàn)流为(wèi)1mA时(shí)測得的(de)压敏電(diàn)阻器两(liǎng)端的(de)電(diàn)压降,它(tā)沒(méi)考慮压敏電(diàn)阻器的(de)尺(chǐ)寸(cùn);E0.5是(shì)指在(zài)電(diàn)流为(wèi)0.5mA/cm2下(xià)測得的(de)加在(zài)压敏電(diàn)阻器上(shàng)的(de)電(diàn)场(chǎng)強(qiáng)度(dù);C值是(shì)指在(zài)電(diàn)流为(wèi)1A(也(yě)有(yǒu)的(de)地(dì)方(fāng)说(shuō)1mA,但差别不(bù)大(dà))时(shí)压敏電(diàn)阻器两(liǎng)端的(de)電(diàn)压降。在(zài)n个(gè)相同(tóng)的(de)压敏電(diàn)阻器串聯或(huò)並(bìng)聯时(shí)C值的(de)變(biàn)化(huà)如(rú)下(xià):
a)串聯时(shí)電(diàn)流不(bù)變(biàn),電(diàn)压增大(dà)n倍,这(zhè)时(shí)C值提(tí)高n倍,可(kě)利用(yòng)压敏電(diàn)阻器串聯来(lái)提(tí)高工作(zuò)電(diàn)压。
V=nCI1/α=(nC)I1/α=C’I1/α
b)並(bìng)聯时(shí)電(diàn)压不(bù)變(biàn),電(diàn)流增大(dà)n倍,C值幾(jǐ)乎不(bù)變(biàn),可(kě)利用(yòng)压敏電(diàn)阻器的(de)並(bìng)聯来(lái)提(tí)高通(tòng)流容量(liàng)。
I=n(V/C)α=[V/(Cn–1/α)]α=(V/C’)α

源林(lín)電(diàn)子(www.jqmi.com.cn)压敏電(diàn)阻免費取(qǔ)樣(yàng),一(yī)个(gè)電(diàn)話(huà)搞定(dìng)!






压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,廠(chǎng)貨直(zhí)供
氧化(huà)鋅压敏電(diàn)阻的(de)缺陷:
ZnO压敏電(diàn)阻器中(zhōng)的(de)缺陷有(yǒu)正(zhèng)一(yī)價和(hé)正(zhèng)二(èr)價的(de)Zni和(hé)Vo,負一(yī)價和(hé)負二(èr)價的(de)
VZn ,正(zhèng)一(yī)價的(de)DZn。VZn主要(yào)在(zài)晶界處(chù),VZn为(wèi)受主态,使晶粒(lì)表(biǎo)面(miàn)形成(chéng)一(yī)電(diàn)子耗盡层(céng)而(ér)産生(shēng)勢壘,约0.7eV。Zni容易遷移为(wèi)亚穩态,是(shì)老(lǎo)化(huà)産生(shēng)的(de)根(gēn)源所(suǒ)在(zài)。DZn可(kě)降低(dī)晶粒(lì)體(tǐ)的(de)電(diàn)阻,提(tí)高通(tòng)流容量(liàng)。Vo在(zài)氧不(bù)足的(de)ZnO-x中(zhōng)量(liàng)很少(shǎo),主要(yào)存在(zài)于晶界中(zhōng)。高温(wēn)时(shí)原子運動(dòng)加剧,在(zài)晶界中(zhōng)形成(chéng)大(dà)量(liàng)的(de)VZn和(hé)Vo,但Vo在(zài)冷(lěng)卻过(guò)程中(zhōng)容易從空(kōng)气(qì)中(zhōng)吸收(shōu)氧而(ér)消失。

源林(lín)電(diàn)子(www.jqmi.com.cn)压敏電(diàn)阻選型電(diàn)話(huà)就(jiù)在(zài)图(tú)片(piàn)中(zhōng),歡迎来(lái)電(diàn)!
您好,歡迎莅臨源林(lín)電(diàn)子,歡迎咨詢...
![]() 触屏版二(èr)維碼 |